美國荷蘭日本達成對中國芯片禁止協(xié)議，浸潤式DUV光刻機不賣了
1. 這個是業(yè)界早就預(yù)期的，因為浸潤式光刻機可以用來造14nm芯片，最強可以到7nm。有些相關(guān)技術(shù)常識。
2. 最先進的叫EUV光刻機，13.5nm的極紫外光源，可以用較少的工序造7nm芯片。次先進的光刻機就是immersion浸潤式DUV光刻機，光源是193nm的，但是在水里折射變137nm，加工能力更強，多次光罩疊加后可以做14nm芯片。
3. 中國已經(jīng)有一些浸潤式DUV光刻機，是ASML賣的。拜登搞的協(xié)議將讓ASML和日本尼康都不能賣了，這樣將無法擴產(chǎn)。 估計日本東京電子還會通過耗材供應(yīng)，卡中芯國際等中國公司現(xiàn)有的光刻機制造能力。
4. 還能賣的是干法DUV光刻機，也是193nm光源，這種只能用來造55nm、40nm之類的芯片。28nm都不太方便了。這對中國芯片擴張產(chǎn)能有很大影響。
5. 現(xiàn)在局面明確了，中國公司之前的一些擴產(chǎn)假設(shè)需要調(diào)整，不能指望ASML和日本供應(yīng)商，只有一些成熟制程里低級的還能擴產(chǎn)。
6. 最后的關(guān)鍵是，SMEE上電微到底行不行，浸潤式光刻機搞得如何了，就頂在這了。美國方面應(yīng)該是有了情報，中國自己沒有搞出可以實際應(yīng)用的浸潤式光刻機（中國這可能更習(xí)慣叫28nm光刻機），所以就推進到這了。問題是還要幾年，也不只是光刻機，還有很多配套?？傮w來說，群眾慢慢認(rèn)識到了難度，時間節(jié)點一再往后推。
